git.sur5r.net Git - freertos/blob - FreeRTOS/Demo/CORTEX_M7_STM32F7_STM32756G-EVAL/ST_Library/stm32f7xx_hal_flash_ex.c

   1 /**\r
   2   ******************************************************************************\r
   3   * @file    stm32f7xx_hal_flash_ex.c\r
   4   * @author  MCD Application Team\r
   5   * @version V0.3.0\r
   6   * @date    06-March-2015\r
   7   * @brief   Extended FLASH HAL module driver.\r
   8   *          This file provides firmware functions to manage the following \r
   9   *          functionalities of the FLASH extension peripheral:\r
  10   *           + Extended programming operations functions\r
  11   *  \r
  12   @verbatim\r
  13   ==============================================================================\r
  14                    ##### Flash Extension features #####\r
  15   ==============================================================================\r
  16            \r
  17   [..] Comparing to other previous devices, the FLASH interface for STM32F727xx/437xx and \r
  18        devices contains the following additional features \r
  19        \r
  20        (+) Capacity up to 2 Mbyte with dual bank architecture supporting read-while-write\r
  21            capability (RWW)\r
  22        (+) Dual bank memory organization       \r
  23        (+) PCROP protection for all banks\r
  24    \r
  25                       ##### How to use this driver #####\r
  26   ==============================================================================\r
  27   [..] This driver provides functions to configure and program the FLASH memory \r
  28        of all STM32F7xx devices. It includes\r
  29       (#) FLASH Memory Erase functions: \r
  30            (++) Lock and Unlock the FLASH interface using HAL_FLASH_Unlock() and \r
  31                 HAL_FLASH_Lock() functions\r
  32            (++) Erase function: Erase sector, erase all sectors\r
  33            (++) There are two modes of erase :\r
  34              (+++) Polling Mode using HAL_FLASHEx_Erase()\r
  35              (+++) Interrupt Mode using HAL_FLASHEx_Erase_IT()\r
  36              \r
  37       (#) Option Bytes Programming functions: Use HAL_FLASHEx_OBProgram() to :\r
  38            (++) Set/Reset the write protection\r
  39            (++) Set the Read protection Level\r
  40            (++) Set the BOR level\r
  41            (++) Program the user Option Bytes\r
  42       (#) Advanced Option Bytes Programming functions: Use HAL_FLASHEx_AdvOBProgram() to :  \r
  43        (++) Extended space (bank 2) erase function\r
  44        (++) Full FLASH space (2 Mo) erase (bank 1 and bank 2)\r
  45        (++) Dual Boot activation\r
  46        (++) Write protection configuration for bank 2\r
  47        (++) PCROP protection configuration and control for both banks\r
  48   \r
  49   @endverbatim\r
  50   ******************************************************************************\r
  51   * @attention\r
  52   *\r
  53   * <h2><center>&copy; COPYRIGHT(c) 2015 STMicroelectronics</center></h2>\r
  54   *\r
  55   * Redistribution and use in source and binary forms, with or without modification,\r
  56   * are permitted provided that the following conditions are met:\r
  57   *   1. Redistributions of source code must retain the above copyright notice,\r
  58   *      this list of conditions and the following disclaimer.\r
  59   *   2. Redistributions in binary form must reproduce the above copyright notice,\r
  60   *      this list of conditions and the following disclaimer in the documentation\r
  61   *      and/or other materials provided with the distribution.\r
  62   *   3. Neither the name of STMicroelectronics nor the names of its contributors\r
  63   *      may be used to endorse or promote products derived from this software\r
  64   *      without specific prior written permission.\r
  65   *\r
  66   * THIS SOFTWARE IS PROVIDED BY THE COPYRIGHT HOLDERS AND CONTRIBUTORS "AS IS"\r
  67   * AND ANY EXPRESS OR IMPLIED WARRANTIES, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, THE\r
  68   * IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE ARE\r
  69   * DISCLAIMED. IN NO EVENT SHALL THE COPYRIGHT HOLDER OR CONTRIBUTORS BE LIABLE\r
  70   * FOR ANY DIRECT, INDIRECT, INCIDENTAL, SPECIAL, EXEMPLARY, OR CONSEQUENTIAL\r
  71   * DAMAGES (INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, PROCUREMENT OF SUBSTITUTE GOODS OR\r
  72   * SERVICES; LOSS OF USE, DATA, OR PROFITS; OR BUSINESS INTERRUPTION) HOWEVER\r
  73   * CAUSED AND ON ANY THEORY OF LIABILITY, WHETHER IN CONTRACT, STRICT LIABILITY,\r
  74   * OR TORT (INCLUDING NEGLIGENCE OR OTHERWISE) ARISING IN ANY WAY OUT OF THE USE\r
  75   * OF THIS SOFTWARE, EVEN IF ADVISED OF THE POSSIBILITY OF SUCH DAMAGE.\r
  76   *\r
  77   ******************************************************************************\r
  78   */ \r
  79 \r
  80 /* Includes ------------------------------------------------------------------*/\r
  81 #include "stm32f7xx_hal.h"\r
  82 \r
  83 /** @addtogroup STM32F7xx_HAL_Driver\r
  84   * @{\r
  85   */\r
  86 \r
  87 /** @defgroup FLASHEx FLASHEx\r
  88   * @brief FLASH HAL Extension module driver\r
  89   * @{\r
  90   */\r
  91 \r
  92 #ifdef HAL_FLASH_MODULE_ENABLED\r
  93 \r
  94 /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/\r
  95 /* Private define ------------------------------------------------------------*/\r
  96 /** @addtogroup FLASHEx_Private_Constants\r
  97   * @{\r
  98   */    \r
  99 #define SECTOR_MASK               ((uint32_t)0xFFFFFF07)\r
 100 #define FLASH_TIMEOUT_VALUE       ((uint32_t)50000)/* 50 s */\r
 101 /**\r
 102   * @}\r
 103   */\r
 104     \r
 105 /* Private macro -------------------------------------------------------------*/\r
 106 /* Private variables ---------------------------------------------------------*/\r
 107 /** @addtogroup FLASHEx_Private_Variables\r
 108   * @{\r
 109   */    \r
 110 extern FLASH_ProcessTypeDef pFlash;\r
 111 /**\r
 112   * @}\r
 113   */\r
 114 \r
 115 /* Private function prototypes -----------------------------------------------*/\r
 116 /** @addtogroup FLASHEx_Private_Functions\r
 117   * @{\r
 118   */\r
 119 /* Option bytes control */\r
 120 static void               FLASH_MassErase(uint8_t VoltageRange);\r
 121 static HAL_StatusTypeDef  FLASH_OB_EnableWRP(uint32_t WRPSector);\r
 122 static HAL_StatusTypeDef  FLASH_OB_DisableWRP(uint32_t WRPSector);\r
 123 static HAL_StatusTypeDef  FLASH_OB_RDP_LevelConfig(uint32_t Level);\r
 124 static HAL_StatusTypeDef  FLASH_OB_UserConfig(uint32_t Wwdg, uint32_t Iwdg, uint32_t Stop, uint32_t Stdby, uint32_t Iwdgstop, uint32_t Iwdgstdby);\r
 125 static HAL_StatusTypeDef  FLASH_OB_BOR_LevelConfig(uint8_t Level);\r
 126 static HAL_StatusTypeDef  FLASH_OB_BootAddressConfig(uint32_t BootOption, uint32_t Address);\r
 127 static uint32_t           FLASH_OB_GetUser(void);\r
 128 static uint32_t           FLASH_OB_GetWRP(void);\r
 129 static FlagStatus         FLASH_OB_GetRDP(void);\r
 130 static uint32_t           FLASH_OB_GetBOR(void);\r
 131 static uint32_t           FLASH_OB_GetBootAddress(uint32_t BootOption);\r
 132 \r
 133 extern HAL_StatusTypeDef  FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);\r
 134 /**\r
 135   * @}\r
 136   */\r
 137 \r
 138 /* Exported functions --------------------------------------------------------*/\r
 139 /** @defgroup FLASHEx_Exported_Functions FLASHEx Exported Functions\r
 140   * @{\r
 141   */\r
 142 \r
 143 /** @defgroup FLASHEx_Exported_Functions_Group1 Extended IO operation functions\r
 144  *  @brief   Extended IO operation functions \r
 145  *\r
 146 @verbatim   \r
 147  ===============================================================================\r
 148                 ##### Extended programming operation functions #####\r
 149  ===============================================================================  \r
 150     [..]\r
 151     This subsection provides a set of functions allowing to manage the Extension FLASH \r
 152     programming operations Operations.\r
 153 \r
 154 @endverbatim\r
 155   * @{\r
 156   */\r
 157 /**\r
 158   * @brief  Perform a mass erase or erase the specified FLASH memory sectors \r
 159   * @param[in]  pEraseInit: pointer to an FLASH_EraseInitTypeDef structure that\r
 160   *         contains the configuration information for the erasing.\r
 161   * \r
 162   * @param[out]  SectorError: pointer to variable  that\r
 163   *         contains the configuration information on faulty sector in case of error \r
 164   *         (0xFFFFFFFF means that all the sectors have been correctly erased)\r
 165   * \r
 166   * @retval HAL Status\r
 167   */\r
 168 HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError)\r
 169 {\r
 170   HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;\r
 171   uint32_t index = 0;\r
 172   \r
 173   /* Process Locked */\r
 174   __HAL_LOCK(&pFlash);\r
 175 \r
 176   /* Check the parameters */\r
 177   assert_param(IS_FLASH_TYPEERASE(pEraseInit->TypeErase));\r
 178 \r
 179   /* Wait for last operation to be completed */\r
 180   status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE);\r
 181 \r
 182   if(status == HAL_OK)\r
 183   {\r
 184     /*Initialization of SectorError variable*/\r
 185     *SectorError = 0xFFFFFFFF;\r
 186     \r
 187     if(pEraseInit->TypeErase == FLASH_TYPEERASE_MASSERASE)\r
 188     {\r
 189       /*Mass erase to be done*/\r
 190       FLASH_MassErase((uint8_t) pEraseInit->VoltageRange);\r
 191 \r
 192       /* Wait for last operation to be completed */\r
 193       status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE);\r
 194       \r
 195       /* if the erase operation is completed, disable the MER Bit */\r
 196       FLASH->CR &= (~FLASH_MER_BIT);\r
 197     }\r
 198     else\r
 199     {\r
 200       /* Check the parameters */\r
 201       assert_param(IS_FLASH_NBSECTORS(pEraseInit->NbSectors + pEraseInit->Sector));\r
 202 \r
 203       /* Erase by sector by sector to be done*/\r
 204       for(index = pEraseInit->Sector; index < (pEraseInit->NbSectors + pEraseInit->Sector); index++)\r
 205       {\r
 206         FLASH_Erase_Sector(index, (uint8_t) pEraseInit->VoltageRange);\r
 207 \r
 208         /* Wait for last operation to be completed */\r
 209         status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE);\r
 210         \r
 211         /* If the erase operation is completed, disable the SER Bit */\r
 212         FLASH->CR &= (~FLASH_CR_SER);\r
 213         FLASH->CR &= SECTOR_MASK; \r
 214 \r
 215         if(status != HAL_OK) \r
 216         {\r
 217           /* In case of error, stop erase procedure and return the faulty sector*/\r
 218           *SectorError = index;\r
 219           break;\r
 220         }\r
 221       }\r
 222     }\r
 223   }\r
 224 \r
 225   /* Process Unlocked */\r
 226   __HAL_UNLOCK(&pFlash);\r
 227 \r
 228   return status;\r
 229 }\r
 230 \r
 231 /**\r
 232   * @brief  Perform a mass erase or erase the specified FLASH memory sectors  with interrupt enabled\r
 233   * @param  pEraseInit: pointer to an FLASH_EraseInitTypeDef structure that\r
 234   *         contains the configuration information for the erasing.\r
 235   * \r
 236   * @retval HAL Status\r
 237   */\r
 238 HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase_IT(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit)\r
 239 {\r
 240   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;\r
 241 \r
 242   /* Process Locked */\r
 243   __HAL_LOCK(&pFlash);\r
 244 \r
 245   /* Check the parameters */\r
 246   assert_param(IS_FLASH_TYPEERASE(pEraseInit->TypeErase));\r
 247 \r
 248   /* Enable End of FLASH Operation interrupt */\r
 249   __HAL_FLASH_ENABLE_IT(FLASH_IT_EOP);\r
 250   \r
 251   /* Enable Error source interrupt */\r
 252   __HAL_FLASH_ENABLE_IT(FLASH_IT_ERR);\r
 253   \r
 254   /* Clear pending flags (if any) */  \r
 255   __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP    | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |\\r
 256                          FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR| FLASH_FLAG_ERSERR);  \r
 257   \r
 258   if(pEraseInit->TypeErase == FLASH_TYPEERASE_MASSERASE)\r
 259   {\r
 260     /*Mass erase to be done*/\r
 261     pFlash.ProcedureOnGoing = FLASH_PROC_MASSERASE;\r
 262     FLASH_MassErase((uint8_t) pEraseInit->VoltageRange);\r
 263   }\r
 264   else\r
 265   {\r
 266     /* Erase by sector to be done*/\r
 267 \r
 268     /* Check the parameters */\r
 269     assert_param(IS_FLASH_NBSECTORS(pEraseInit->NbSectors + pEraseInit->Sector));\r
 270 \r
 271     pFlash.ProcedureOnGoing = FLASH_PROC_SECTERASE;\r
 272     pFlash.NbSectorsToErase = pEraseInit->NbSectors;\r
 273     pFlash.Sector = pEraseInit->Sector;\r
 274     pFlash.VoltageForErase = (uint8_t)pEraseInit->VoltageRange;\r
 275 \r
 276     /*Erase 1st sector and wait for IT*/\r
 277     FLASH_Erase_Sector(pEraseInit->Sector, pEraseInit->VoltageRange);\r
 278   }\r
 279 \r
 280   return status;\r
 281 }\r
 282 \r
 283 /**\r
 284   * @brief   Program option bytes\r
 285   * @param  pOBInit: pointer to an FLASH_OBInitStruct structure that\r
 286   *         contains the configuration information for the programming.\r
 287   * \r
 288   * @retval HAL Status\r
 289   */\r
 290 HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_OBProgram(FLASH_OBProgramInitTypeDef *pOBInit)\r
 291 {\r
 292   HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;\r
 293   \r
 294   /* Process Locked */\r
 295   __HAL_LOCK(&pFlash);\r
 296 \r
 297   /* Check the parameters */\r
 298   assert_param(IS_OPTIONBYTE(pOBInit->OptionType));\r
 299 \r
 300   /* Write protection configuration */\r
 301   if((pOBInit->OptionType & OPTIONBYTE_WRP) == OPTIONBYTE_WRP)\r
 302   {\r
 303     assert_param(IS_WRPSTATE(pOBInit->WRPState));\r
 304     if(pOBInit->WRPState == OB_WRPSTATE_ENABLE)\r
 305     {\r
 306       /*Enable of Write protection on the selected Sector*/\r
 307       status = FLASH_OB_EnableWRP(pOBInit->WRPSector);\r
 308     }\r
 309     else\r
 310     {\r
 311       /*Disable of Write protection on the selected Sector*/\r
 312       status = FLASH_OB_DisableWRP(pOBInit->WRPSector);\r
 313     }\r
 314   }\r
 315 \r
 316   /* Read protection configuration */\r
 317   if((pOBInit->OptionType & OPTIONBYTE_RDP) == OPTIONBYTE_RDP)\r
 318   {\r
 319     status = FLASH_OB_RDP_LevelConfig(pOBInit->RDPLevel);\r
 320   }\r
 321 \r
 322   /* USER  configuration */\r
 323   if((pOBInit->OptionType & OPTIONBYTE_USER) == OPTIONBYTE_USER)\r
 324   {\r
 325     status = FLASH_OB_UserConfig(pOBInit->USERConfig & OB_WWDG_SW, \r
 326                                  pOBInit->USERConfig & OB_IWDG_SW,\r
 327                                  pOBInit->USERConfig & OB_STOP_NO_RST,\r
 328                                  pOBInit->USERConfig & OB_STDBY_NO_RST, \r
 329                                  pOBInit->USERConfig & OB_IWDG_STOP_FREEZE,\r
 330                                  pOBInit->USERConfig & OB_IWDG_STDBY_FREEZE);\r
 331   }\r
 332   \r
 333   /* BOR Level  configuration */\r
 334   if((pOBInit->OptionType & OPTIONBYTE_BOR) == OPTIONBYTE_BOR)\r
 335   {\r
 336     status = FLASH_OB_BOR_LevelConfig(pOBInit->BORLevel);\r
 337   }\r
 338   \r
 339   /* Boot 0 Address configuration */\r
 340   if((pOBInit->OptionType & OPTIONBYTE_BOOTADDR_0) == OPTIONBYTE_BOOTADDR_0)\r
 341   {\r
 342     status = FLASH_OB_BootAddressConfig(OPTIONBYTE_BOOTADDR_0, pOBInit->BootAddr0);\r
 343   }\r
 344   \r
 345   /* Boot 1 Address configuration */\r
 346   if((pOBInit->OptionType & OPTIONBYTE_BOOTADDR_1) == OPTIONBYTE_BOOTADDR_1)\r
 347   {\r
 348     status = FLASH_OB_BootAddressConfig(OPTIONBYTE_BOOTADDR_1, pOBInit->BootAddr1);\r
 349   }\r
 350 \r
 351   /* Process Unlocked */\r
 352   __HAL_UNLOCK(&pFlash);\r
 353 \r
 354   return status;\r
 355 }\r
 356 \r
 357 /**\r
 358   * @brief   Get the Option byte configuration\r
 359   * @param  pOBInit: pointer to an FLASH_OBInitStruct structure that\r
 360   *         contains the configuration information for the programming.\r
 361   * \r
 362   * @retval None\r
 363   */\r
 364 void HAL_FLASHEx_OBGetConfig(FLASH_OBProgramInitTypeDef *pOBInit)\r
 365 {\r
 366   pOBInit->OptionType = OPTIONBYTE_WRP | OPTIONBYTE_RDP | OPTIONBYTE_USER |\\r
 367                               OPTIONBYTE_BOR | OPTIONBYTE_BOOTADDR_0 | OPTIONBYTE_BOOTADDR_1;\r
 368 \r
 369   /*Get WRP*/\r
 370   pOBInit->WRPSector = FLASH_OB_GetWRP();\r
 371 \r
 372   /*Get RDP Level*/\r
 373   pOBInit->RDPLevel = FLASH_OB_GetRDP();\r
 374 \r
 375   /*Get USER*/\r
 376   pOBInit->USERConfig = FLASH_OB_GetUser();\r
 377 \r
 378   /*Get BOR Level*/\r
 379   pOBInit->BORLevel = FLASH_OB_GetBOR();\r
 380         \r
 381         /*Get Boot Address when Boot pin = 0 */\r
 382   pOBInit->BootAddr0 = FLASH_OB_GetBootAddress(OPTIONBYTE_BOOTADDR_0);\r
 383         \r
 384   /*Get Boot Address when Boot pin = 1 */\r
 385   pOBInit->BootAddr1 = FLASH_OB_GetBootAddress(OPTIONBYTE_BOOTADDR_1);\r
 386 }\r
 387 \r
 388 /**\r
 389   * @}\r
 390   */\r
 391 \r
 392 /**\r
 393   * @brief  Full erase of FLASH memory sectors \r
 394   * @param  VoltageRange: The device voltage range which defines the erase parallelism.  \r
 395   *          This parameter can be one of the following values:\r
 396   *            @arg VOLTAGE_RANGE_1: when the device voltage range is 1.8V to 2.1V, \r
 397   *                                  the operation will be done by byte (8-bit) \r
 398   *            @arg VOLTAGE_RANGE_2: when the device voltage range is 2.1V to 2.7V,\r
 399   *                                  the operation will be done by half word (16-bit)\r
 400   *            @arg VOLTAGE_RANGE_3: when the device voltage range is 2.7V to 3.6V,\r
 401   *                                  the operation will be done by word (32-bit)\r
 402   *            @arg VOLTAGE_RANGE_4: when the device voltage range is 2.7V to 3.6V + External Vpp, \r
 403   *                                  the operation will be done by double word (64-bit)\r
 404   *\r
 405   * @retval HAL Status\r
 406   */\r
 407 static void FLASH_MassErase(uint8_t VoltageRange)\r
 408 {\r
 409   uint32_t tmp_psize = 0;\r
 410   \r
 411   /* Check the parameters */\r
 412   assert_param(IS_VOLTAGERANGE(VoltageRange));\r
 413 \r
 414   /* if the previous operation is completed, proceed to erase all sectors */\r
 415   FLASH->CR &= CR_PSIZE_MASK;\r
 416   FLASH->CR |= tmp_psize;\r
 417   FLASH->CR |= FLASH_CR_MER;\r
 418   FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;\r
 419   /* Data synchronous Barrier (DSB) Just after the write operation\r
 420      This will force the CPU to respect the sequence of instruction (no optimization).*/\r
 421   __DSB();\r
 422 }\r
 423 \r
 424 /**\r
 425   * @brief  Erase the specified FLASH memory sector\r
 426   * @param  Sector: FLASH sector to erase\r
 427   *         The value of this parameter depend on device used within the same series      \r
 428   * @param  VoltageRange: The device voltage range which defines the erase parallelism.  \r
 429   *          This parameter can be one of the following values:\r
 430   *            @arg FLASH_VOLTAGE_RANGE_1: when the device voltage range is 1.8V to 2.1V, \r
 431   *                                  the operation will be done by byte (8-bit) \r
 432   *            @arg FLASH_VOLTAGE_RANGE_2: when the device voltage range is 2.1V to 2.7V,\r
 433   *                                  the operation will be done by half word (16-bit)\r
 434   *            @arg FLASH_VOLTAGE_RANGE_3: when the device voltage range is 2.7V to 3.6V,\r
 435   *                                  the operation will be done by word (32-bit)\r
 436   *            @arg FLASH_VOLTAGE_RANGE_4: when the device voltage range is 2.7V to 3.6V + External Vpp, \r
 437   *                                  the operation will be done by double word (64-bit)\r
 438   * \r
 439   * @retval None\r
 440   */\r
 441 void FLASH_Erase_Sector(uint32_t Sector, uint8_t VoltageRange)\r
 442 {\r
 443   uint32_t tmp_psize = 0;\r
 444 \r
 445   /* Check the parameters */\r
 446   assert_param(IS_FLASH_SECTOR(Sector));\r
 447   assert_param(IS_VOLTAGERANGE(VoltageRange));\r
 448   \r
 449   if(VoltageRange == FLASH_VOLTAGE_RANGE_1)\r
 450   {\r
 451      tmp_psize = FLASH_PSIZE_BYTE;\r
 452   }\r
 453   else if(VoltageRange == FLASH_VOLTAGE_RANGE_2)\r
 454   {\r
 455     tmp_psize = FLASH_PSIZE_HALF_WORD;\r
 456   }\r
 457   else if(VoltageRange == FLASH_VOLTAGE_RANGE_3)\r
 458   {\r
 459     tmp_psize = FLASH_PSIZE_WORD;\r
 460   }\r
 461   else\r
 462   {\r
 463     tmp_psize = FLASH_PSIZE_DOUBLE_WORD;\r
 464   }\r
 465 \r
 466   /* If the previous operation is completed, proceed to erase the sector */\r
 467   FLASH->CR &= CR_PSIZE_MASK;\r
 468   FLASH->CR |= tmp_psize;\r
 469   FLASH->CR &= SECTOR_MASK;\r
 470   FLASH->CR |= FLASH_CR_SER | (Sector << POSITION_VAL(FLASH_CR_SNB));\r
 471   FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;\r
 472   \r
 473   /* Data synchronous Barrier (DSB) Just after the write operation\r
 474      This will force the CPU to respect the sequence of instruction (no optimization).*/\r
 475   __DSB();\r
 476 }\r
 477 \r
 478 /**\r
 479   * @brief  Enable the write protection of the desired bank1 or bank 2 sectors\r
 480   *\r
 481   * @note   When the memory read protection level is selected (RDP level = 1), \r
 482   *         it is not possible to program or erase the flash sector i if CortexM4  \r
 483   *         debug features are connected or boot code is executed in RAM, even if nWRPi = 1 \r
 484   * @note   Active value of nWRPi bits is inverted when PCROP mode is active (SPRMOD =1).   \r
 485   * \r
 486   * @param  WRPSector: specifies the sector(s) to be write protected.\r
 487   *          This parameter can be one of the following values:\r
 488   *            @arg WRPSector: A value between OB_WRP_SECTOR_0 and OB_WRP_SECTOR_7                      \r
 489   *            @arg OB_WRP_SECTOR_All\r
 490   *\r
 491   * @retval HAL FLASH State   \r
 492   */\r
 493 static HAL_StatusTypeDef FLASH_OB_EnableWRP(uint32_t WRPSector)\r
 494 {\r
 495   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;\r
 496   \r
 497   /* Check the parameters */\r
 498   assert_param(IS_OB_WRP_SECTOR(WRPSector));\r
 499     \r
 500   /* Wait for last operation to be completed */\r
 501   status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE);\r
 502 \r
 503   if(status == HAL_OK)\r
 504   {\r
 505     /*Write protection enabled on sectors */\r
 506     FLASH->OPTCR &= (~WRPSector);  \r
 507   }\r
 508   \r
 509   return status;\r
 510 }\r
 511 \r
 512 /**\r
 513   * @brief  Disable the write protection of the desired bank1 or bank 2 sectors\r
 514   *\r
 515   * @note   When the memory read protection level is selected (RDP level = 1), \r
 516   *         it is not possible to program or erase the flash sector i if CortexM4  \r
 517   *         debug features are connected or boot code is executed in RAM, even if nWRPi = 1  \r
 518   * \r
 519   * @param  WRPSector: specifies the sector(s) to be write protected.\r
 520   *          This parameter can be one of the following values:\r
 521   *            @arg WRPSector: A value between OB_WRP_SECTOR_0 and OB_WRP_SECTOR_7                      \r
 522   *            @arg OB_WRP_Sector_All\r
 523   *\r
 524   *\r
 525   * @retval HAL Status   \r
 526   */\r
 527 static HAL_StatusTypeDef FLASH_OB_DisableWRP(uint32_t WRPSector)\r
 528 {\r
 529   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;\r
 530   \r
 531   /* Check the parameters */\r
 532   assert_param(IS_OB_WRP_SECTOR(WRPSector));\r
 533     \r
 534   /* Wait for last operation to be completed */\r
 535   status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE);\r
 536 \r
 537   if(status == HAL_OK)\r
 538   {\r
 539     /* Write protection disabled on sectors */\r
 540     FLASH->OPTCR |= (WRPSector); \r
 541   }\r
 542 \r
 543   return status;\r
 544 }\r
 545 \r
 546 \r
 547 \r
 548 \r
 549 /**\r
 550   * @brief  Set the read protection level.\r
 551   * @param  Level: specifies the read protection level.\r
 552   *          This parameter can be one of the following values:\r
 553   *            @arg OB_RDP_LEVEL_0: No protection\r
 554   *            @arg OB_RDP_LEVEL_1: Read protection of the memory\r
 555   *            @arg OB_RDP_LEVEL_2: Full chip protection\r
 556   *   \r
 557   * @note WARNING: When enabling OB_RDP level 2 it's no more possible to go back to level 1 or 0\r
 558   *    \r
 559   * @retval HAL Status\r
 560   */\r
 561 static HAL_StatusTypeDef FLASH_OB_RDP_LevelConfig(uint32_t Level)\r
 562 {\r
 563   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;\r
 564   \r
 565   /* Check the parameters */\r
 566   assert_param(IS_OB_RDP_LEVEL(Level));\r
 567     \r
 568   /* Wait for last operation to be completed */\r
 569   status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE);\r
 570 \r
 571   if(status == HAL_OK)\r
 572   { \r
 573     MODIFY_REG(FLASH->OPTCR, FLASH_OPTCR_RDP, Level);\r
 574   }\r
 575   \r
 576   return status;\r
 577 }\r
 578 \r
 579 /**\r
 580   * @brief  Program the FLASH User Option Byte: IWDG_SW / RST_STOP / RST_STDBY.    \r
 581   * @param  Wwdg: Selects the IWDG mode\r
 582   *          This parameter can be one of the following values:\r
 583   *            @arg OB_WWDG_SW: Software WWDG selected\r
 584   *            @arg OB_WWDG_HW: Hardware WWDG selected\r
 585   * @param  Iwdg: Selects the WWDG mode\r
 586   *          This parameter can be one of the following values:\r
 587   *            @arg OB_IWDG_SW: Software IWDG selected\r
 588   *            @arg OB_IWDG_HW: Hardware IWDG selected\r
 589   * @param  Stop: Reset event when entering STOP mode.\r
 590   *          This parameter  can be one of the following values:\r
 591   *            @arg OB_STOP_NO_RST: No reset generated when entering in STOP\r
 592   *            @arg OB_STOP_RST: Reset generated when entering in STOP\r
 593   * @param  Stdby: Reset event when entering Standby mode.\r
 594   *          This parameter  can be one of the following values:\r
 595   *            @arg OB_STDBY_NO_RST: No reset generated when entering in STANDBY\r
 596   *            @arg OB_STDBY_RST: Reset generated when entering in STANDBY\r
 597   * @param  Iwdgstop: Independent watchdog counter freeze in Stop mode.\r
 598   *          This parameter  can be one of the following values:\r
 599   *            @arg OB_IWDG_STOP_FREEZE: Freeze IWDG counter in STOP\r
 600   *            @arg OB_IWDG_STOP_ACTIVE: IWDG counter active in STOP\r
 601   * @param  Iwdgstdby: Independent watchdog counter freeze in standby mode.\r
 602   *          This parameter  can be one of the following values:\r
 603   *            @arg OB_IWDG_STDBY_FREEZE: Freeze IWDG counter in STANDBY\r
 604   *            @arg OB_IWDG_STDBY_ACTIVE: IWDG counter active in STANDBY           \r
 605   * @retval HAL Status\r
 606   */\r
 607 static HAL_StatusTypeDef FLASH_OB_UserConfig(uint32_t Wwdg, uint32_t Iwdg, uint32_t Stop, uint32_t Stdby, uint32_t Iwdgstop, uint32_t Iwdgstdby )\r
 608 {\r
 609   uint32_t useroptionmask = 0x00;\r
 610   uint32_t useroptionvalue = 0x00;\r
 611 \r
 612   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;\r
 613 \r
 614   /* Check the parameters */\r
 615   assert_param(IS_OB_WWDG_SOURCE(Wwdg));\r
 616   assert_param(IS_OB_IWDG_SOURCE(Iwdg));\r
 617   assert_param(IS_OB_STOP_SOURCE(Stop));\r
 618   assert_param(IS_OB_STDBY_SOURCE(Stdby));\r
 619   assert_param(IS_OB_IWDG_STOP_FREEZE(Iwdgstop));\r
 620   assert_param(IS_OB_IWDG_STDBY_FREEZE(Iwdgstdby));\r
 621 \r
 622   /* Wait for last operation to be completed */\r
 623   status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE);\r
 624   \r
 625   if(status == HAL_OK)\r
 626   {\r
 627     useroptionmask = (FLASH_OPTCR_WWDG_SW | FLASH_OPTCR_IWDG_SW | FLASH_OPTCR_nRST_STOP | \\r
 628                       FLASH_OPTCR_nRST_STDBY | FLASH_OPTCR_IWDG_STOP | FLASH_OPTCR_IWDG_STDBY);\r
 629                       \r
 630     useroptionvalue = (Iwdg | Wwdg | Stop | Stdby | Iwdgstop | Iwdgstdby);\r
 631         \r
 632     /* Update User Option Byte */               \r
 633     MODIFY_REG(FLASH->OPTCR, useroptionmask, useroptionvalue);\r
 634   }\r
 635   \r
 636   return status; \r
 637 \r
 638 }\r
 639 \r
 640 /**\r
 641   * @brief  Set the BOR Level. \r
 642   * @param  Level: specifies the Option Bytes BOR Reset Level.\r
 643   *          This parameter can be one of the following values:\r
 644   *            @arg OB_BOR_LEVEL3: Supply voltage ranges from 2.7 to 3.6 V\r
 645   *            @arg OB_BOR_LEVEL2: Supply voltage ranges from 2.4 to 2.7 V\r
 646   *            @arg OB_BOR_LEVEL1: Supply voltage ranges from 2.1 to 2.4 V\r
 647   *            @arg OB_BOR_OFF: Supply voltage ranges from 1.62 to 2.1 V\r
 648   * @retval HAL Status\r
 649   */\r
 650 static HAL_StatusTypeDef FLASH_OB_BOR_LevelConfig(uint8_t Level)\r
 651 {\r
 652   /* Check the parameters */\r
 653   assert_param(IS_OB_BOR_LEVEL(Level));\r
 654 \r
 655   /* Set the BOR Level */\r
 656   MODIFY_REG(FLASH->OPTCR, FLASH_OPTCR_BOR_LEV, Level);\r
 657   \r
 658   return HAL_OK;\r
 659   \r
 660 }\r
 661 \r
 662 /**\r
 663   * @brief  Configure Boot base address.\r
 664   * \r
 665   * @param   BootOption : specifies Boot base address depending from Boot pin = 0 or pin = 1\r
 666   *          This parameter can be one of the following values:\r
 667   *            @arg OPTIONBYTE_BOOTADDR_0 : Boot address based when Boot pin = 0                 \r
 668   *            @arg OPTIONBYTE_BOOTADDR_1 : Boot address based when Boot pin = 1  \r
 669   *          Address: specifies Boot base address\r
 670   *          This parameter can be one of the following values:\r
 671   *            @arg OB_BOOTADDR_ITCM_RAM : Boot from ITCM RAM (0x00000000)                 \r
 672   *            @arg OB_BOOTADDR_SYSTEM : Boot from System memory bootloader (0x00100000) \r
 673   *            @arg OB_BOOTADDR_ITCM_FLASH : Boot from Flash on ITCM interface (0x00200000)  \r
 674   *            @arg OB_BOOTADDR_AXIM_FLASH : Boot from Flash on AXIM interface (0x08000000)  \r
 675   *            @arg OB_BOOTADDR_DTCM_RAM : Boot from DTCM RAM (0x20000000)                 \r
 676   *            @arg OB_BOOTADDR_SRAM1 : Boot from SRAM1 (0x20010000)                    \r
 677   *            @arg OB_BOOTADDR_SRAM2 : Boot from SRAM2 (0x2004C000)              \r
 678   *    \r
 679   * @retval HAL Status\r
 680   */\r
 681 static HAL_StatusTypeDef FLASH_OB_BootAddressConfig(uint32_t BootOption, uint32_t Address)\r
 682 {\r
 683   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;\r
 684   \r
 685   /* Check the parameters */\r
 686   assert_param(IS_OB_BOOT_ADDRESS(Address));\r
 687     \r
 688   /* Wait for last operation to be completed */\r
 689   status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE);\r
 690 \r
 691   if(status == HAL_OK)\r
 692   {\r
 693     if(BootOption == OPTIONBYTE_BOOTADDR_0)\r
 694     {                   \r
 695       MODIFY_REG(FLASH->OPTCR1, FLASH_OPTCR1_BOOT_ADD0, Address);\r
 696           }\r
 697                 else\r
 698                 {\r
 699                         MODIFY_REG(FLASH->OPTCR1, FLASH_OPTCR1_BOOT_ADD1, (Address << 16));\r
 700                 }\r
 701   }\r
 702   \r
 703   return status;\r
 704 }\r
 705 \r
 706 /**\r
 707   * @brief  Return the FLASH User Option Byte value.\r
 708   * @retval uint32_t FLASH User Option Bytes values: IWDG_SW(Bit0), RST_STOP(Bit1)\r
 709   *         and RST_STDBY(Bit2).\r
 710   */\r
 711 static uint32_t FLASH_OB_GetUser(void)\r
 712 {\r
 713   /* Return the User Option Byte */\r
 714   return ((uint32_t)(FLASH->OPTCR & 0xC00000F0));\r
 715 }\r
 716 \r
 717 /**\r
 718   * @brief  Return the FLASH Write Protection Option Bytes value.\r
 719   * @retval uint32_t FLASH Write Protection Option Bytes value\r
 720   */\r
 721 static uint32_t FLASH_OB_GetWRP(void)\r
 722 {\r
 723   /* Return the FLASH write protection Register value */\r
 724   return ((uint32_t)(FLASH->OPTCR & 0x00FF0000));\r
 725 }\r
 726 \r
 727 /**\r
 728   * @brief  Returns the FLASH Read Protection level.\r
 729   * @retval FlagStatus FLASH ReadOut Protection Status:\r
 730   *           - SET, when OB_RDP_Level_1 or OB_RDP_Level_2 is set\r
 731   *           - RESET, when OB_RDP_Level_0 is set\r
 732   */\r
 733 static FlagStatus FLASH_OB_GetRDP(void)\r
 734 {\r
 735   FlagStatus readstatus = RESET;\r
 736 \r
 737   if (((uint16_t)(FLASH->OPTCR & 0xFF00)) != (uint16_t)OB_RDP_LEVEL_0)\r
 738   {\r
 739     readstatus = SET;\r
 740   }\r
 741   \r
 742   return readstatus;\r
 743 }\r
 744 \r
 745 /**\r
 746   * @brief  Returns the FLASH BOR level.\r
 747   * @retval uint32_t The FLASH BOR level:\r
 748   *           - OB_BOR_LEVEL3: Supply voltage ranges from 2.7 to 3.6 V\r
 749   *           - OB_BOR_LEVEL2: Supply voltage ranges from 2.4 to 2.7 V\r
 750   *           - OB_BOR_LEVEL1: Supply voltage ranges from 2.1 to 2.4 V\r
 751   *           - OB_BOR_OFF   : Supply voltage ranges from 1.62 to 2.1 V  \r
 752   */\r
 753 static uint32_t FLASH_OB_GetBOR(void)\r
 754 {\r
 755   /* Return the FLASH BOR level */\r
 756   return ((uint32_t)(FLASH->OPTCR & 0x0C));\r
 757 }\r
 758 \r
 759 /**\r
 760   * @brief  Configure Boot base address.\r
 761   * \r
 762   * @param   BootOption : specifies Boot base address depending from Boot pin = 0 or pin = 1\r
 763   *          This parameter can be one of the following values:\r
 764   *            @arg OPTIONBYTE_BOOTADDR_0 : Boot address based when Boot pin = 0                 \r
 765   *            @arg OPTIONBYTE_BOOTADDR_1 : Boot address based when Boot pin = 1       \r
 766   *    \r
 767   * @retval uint32_t Boot Base Address:\r
 768   *            - OB_BOOTADDR_ITCM_RAM : Boot from ITCM RAM (0x00000000)                 \r
 769   *            - OB_BOOTADDR_SYSTEM : Boot from System memory bootloader (0x00100000) \r
 770   *            - OB_BOOTADDR_ITCM_FLASH : Boot from Flash on ITCM interface (0x00200000)  \r
 771   *            - OB_BOOTADDR_AXIM_FLASH : Boot from Flash on AXIM interface (0x08000000)  \r
 772   *            - OB_BOOTADDR_DTCM_RAM : Boot from DTCM RAM (0x20000000)                 \r
 773   *            - OB_BOOTADDR_SRAM1 : Boot from SRAM1 (0x20010000)                    \r
 774   *            - OB_BOOTADDR_SRAM2 : Boot from SRAM2 (0x2004C000) \r
 775   */\r
 776 static uint32_t FLASH_OB_GetBootAddress(uint32_t BootOption)\r
 777 {  \r
 778   uint32_t Address = 0;\r
 779     \r
 780         /* Return the Boot base Address */\r
 781   if(BootOption == OPTIONBYTE_BOOTADDR_0)\r
 782   {                     \r
 783     Address = FLASH->OPTCR1 & FLASH_OPTCR1_BOOT_ADD0;\r
 784         }\r
 785   else\r
 786         {\r
 787                 Address = ((FLASH->OPTCR1 & FLASH_OPTCR1_BOOT_ADD1) >> 16);\r
 788         }\r
 789 \r
 790   return Address;\r
 791 }\r
 792 \r
 793 /**\r
 794   * @}\r
 795   */\r
 796   \r
 797 #endif /* HAL_FLASH_MODULE_ENABLED */\r
 798 \r
 799 /**\r
 800   * @}\r
 801   */\r
 802 \r
 803 /**\r
 804   * @}\r
 805   */\r
 806 \r
 807 /************************ (C) COPYRIGHT STMicroelectronics *****END OF FILE****/\r