git.sur5r.net Git - freertos/blob - FreeRTOS/Demo/CORTEX_STM32L152_Discovery_IAR/ST_Code/Libraries/STM32L1xx_StdPeriph_Driver/src/stm32l1xx_flash_ramfunc.c

   1 /**\r
   2   ******************************************************************************\r
   3   * @file    stm32l1xx_flash_ramfunc.c\r
   4   * @author  MCD Application Team\r
   5   * @version V1.1.1\r
   6   * @date    05-March-2012\r
   7   * @brief   This file provides all the Flash firmware functions which should be\r
   8   *          executed from the internal SRAM. This file should be placed in \r
   9   *          internal SRAM. \r
  10   *          Other FLASH memory functions that can be used from the FLASH are \r
  11   *          defined in the "stm32l1xx_flash.c" file. \r
  12 @verbatim\r
  13 \r
  14     *** ARM Compiler ***\r
  15     --------------------\r
  16     [..] RAM functions are defined using the toolchain options. \r
  17          Functions that are be executed in RAM should reside in a separate\r
  18          source module. Using the 'Options for File' dialog you can simply change\r
  19          the 'Code / Const' area of a module to a memory space in physical RAM.\r
  20          Available memory areas are declared in the 'Target' tab of the \r
  21          Options for Target' dialog.\r
  22 \r
  23     *** ICCARM Compiler ***\r
  24     -----------------------\r
  25     [..] RAM functions are defined using a specific toolchain keyword "__ramfunc".\r
  26 \r
  27     *** GNU Compiler ***\r
  28     --------------------\r
  29     [..] RAM functions are defined using a specific toolchain attribute\r
  30          "__attribute__((section(".data")))".\r
  31 \r
  32     *** TASKING Compiler ***\r
  33     ------------------------\r
  34     [..] RAM functions are defined using a specific toolchain pragma. This \r
  35          pragma is defined inside this file.\r
  36 \r
  37 @endverbatim\r
  38   *\r
  39   ******************************************************************************\r
  40   * @attention\r
  41   *\r
  42   * <h2><center>&copy; COPYRIGHT 2012 STMicroelectronics</center></h2>\r
  43   *\r
  44   * Licensed under MCD-ST Liberty SW License Agreement V2, (the "License");\r
  45   * You may not use this file except in compliance with the License.\r
  46   * You may obtain a copy of the License at:\r
  47   *\r
  48   *        http://www.st.com/software_license_agreement_liberty_v2\r
  49   *\r
  50   * Unless required by applicable law or agreed to in writing, software \r
  51   * distributed under the License is distributed on an "AS IS" BASIS, \r
  52   * WITHOUT WARRANTIES OR CONDITIONS OF ANY KIND, either express or implied.\r
  53   * See the License for the specific language governing permissions and\r
  54   * limitations under the License.\r
  55   *\r
  56   ******************************************************************************\r
  57   */\r
  58 \r
  59 /* Includes ------------------------------------------------------------------*/\r
  60 #include "stm32l1xx_flash.h"\r
  61 \r
  62 /** @addtogroup STM32L1xx_StdPeriph_Driver\r
  63   * @{\r
  64   */\r
  65 \r
  66 /** @defgroup FLASH \r
  67   * @brief FLASH driver modules\r
  68   * @{\r
  69   */ \r
  70 \r
  71 /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/\r
  72 /* Private define ------------------------------------------------------------*/\r
  73 /* Private macro -------------------------------------------------------------*/\r
  74 /* Private variables ---------------------------------------------------------*/\r
  75 /* Private function prototypes -----------------------------------------------*/\r
  76 static __RAM_FUNC GetStatus(void);\r
  77 static __RAM_FUNC WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);\r
  78 \r
  79 /* Private functions ---------------------------------------------------------*/\r
  80  \r
  81 /** @defgroup FLASH_Private_Functions\r
  82   * @{\r
  83   */ \r
  84 \r
  85 /** @addtogroup FLASH_Group1\r
  86  *\r
  87 @verbatim  \r
  88 @endverbatim\r
  89   * @{\r
  90   */  \r
  91 #if defined (  __TASKING__  )\r
  92 #pragma section_code_init on\r
  93 #endif\r
  94 \r
  95 /**\r
  96   * @brief  Enable or disable the power down mode during RUN mode.\r
  97   * @note  This function can be used only when the user code is running from Internal SRAM.\r
  98   * @param  NewState: new state of the power down mode during RUN mode.\r
  99   *   This parameter can be: ENABLE or DISABLE.\r
 100   * @retval None\r
 101   */\r
 102 __RAM_FUNC FLASH_RUNPowerDownCmd(FunctionalState NewState)\r
 103 {\r
 104   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;\r
 105  \r
 106   if (NewState != DISABLE)\r
 107   {\r
 108      /* Unlock the RUN_PD bit */\r
 109      FLASH->PDKEYR = FLASH_PDKEY1;\r
 110      FLASH->PDKEYR = FLASH_PDKEY2;\r
 111      \r
 112      /* Set the RUN_PD bit in  FLASH_ACR register to put Flash in power down mode */\r
 113      FLASH->ACR |= (uint32_t)FLASH_ACR_RUN_PD;\r
 114 \r
 115      if((FLASH->ACR & FLASH_ACR_RUN_PD) != FLASH_ACR_RUN_PD)\r
 116      {\r
 117        status = FLASH_ERROR_PROGRAM;\r
 118      }\r
 119   }\r
 120   else\r
 121   {\r
 122     /* Clear the RUN_PD bit in  FLASH_ACR register to put Flash in idle  mode */\r
 123     FLASH->ACR &= (uint32_t)(~(uint32_t)FLASH_ACR_RUN_PD);\r
 124   }\r
 125 \r
 126   /* Return the Write Status */\r
 127   return status;  \r
 128 }\r
 129 \r
 130 /**\r
 131   * @}\r
 132   */\r
 133 \r
 134 /** @addtogroup FLASH_Group2\r
 135  *\r
 136 @verbatim  \r
 137 @endverbatim\r
 138   * @{\r
 139   */\r
 140 \r
 141 /**\r
 142   * @brief  Erases a specified 2 page in program memory in parallel.\r
 143   * @note   This function can be used only for STM32L1XX_HD density devices.\r
 144   *         To correctly run this function, the FLASH_Unlock() function\r
 145   *         must be called before.\r
 146   *         Call the FLASH_Lock() to disable the flash memory access \r
 147   *        (recommended to protect the FLASH memory against possible unwanted operation).\r
 148   * @param  Page_Address1: The page address in program memory to be erased in \r
 149   *         the first Bank (BANK1). This parameter should be between 0x08000000\r
 150   *         and 0x0802FF00.\r
 151   * @param  Page_Address2: The page address in program memory to be erased in \r
 152   *         the second Bank (BANK2). This parameter should be between 0x08030000\r
 153   *         and 0x0805FF00.\r
 154   * @note   A Page is erased in the Program memory only if the address to load \r
 155   *         is the start address of a page (multiple of 256 bytes).\r
 156   * @retval FLASH Status: The returned value can be: \r
 157   *         FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.\r
 158   */\r
 159 FLASH_Status FLASH_EraseParallelPage(uint32_t Page_Address1, uint32_t Page_Address2)\r
 160 {\r
 161   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;\r
 162 \r
 163   /* Wait for last operation to be completed */\r
 164   status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 165   \r
 166   if(status == FLASH_COMPLETE)\r
 167   {\r
 168     /* If the previous operation is completed, proceed to erase the page */\r
 169 \r
 170     /* Set the PARALLBANK bit */\r
 171     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_PARALLBANK;\r
 172     \r
 173     /* Set the ERASE bit */\r
 174     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_ERASE;\r
 175 \r
 176     /* Set PROG bit */\r
 177     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_PROG;\r
 178   \r
 179     /* Write 00000000h to the first word of the first program page to erase */\r
 180     *(__IO uint32_t *)Page_Address1 = 0x00000000;\r
 181     /* Write 00000000h to the first word of the second program page to erase */    \r
 182     *(__IO uint32_t *)Page_Address2 = 0x00000000;    \r
 183  \r
 184     /* Wait for last operation to be completed */\r
 185     status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 186 \r
 187     /* If the erase operation is completed, disable the ERASE, PROG and PARALLBANK bits */\r
 188     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_PROG);\r
 189     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_ERASE);\r
 190     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_PARALLBANK);   \r
 191   }     \r
 192   /* Return the Erase Status */\r
 193   return status;\r
 194 }\r
 195 \r
 196 /**\r
 197   * @brief  Programs a half page in program memory.\r
 198   * @param  Address: specifies the address to be written.\r
 199   * @param  pBuffer: pointer to the buffer  containing the data to be  written to \r
 200   *         the half page.\r
 201   * @note   To correctly run this function, the FLASH_Unlock() function\r
 202   *         must be called before.\r
 203   *         Call the FLASH_Lock() to disable the flash memory access  \r
 204   *         (recommended to protect the FLASH memory against possible unwanted operation)\r
 205   * @note   Half page write is possible only from SRAM.\r
 206   * @note   If there are more than 32 words to write, after 32 words another \r
 207   *         Half Page programming operation starts and has to be finished.\r
 208   * @note   A half page is written to the program memory only if the first \r
 209   *         address to load is the start address of a half page (multiple of 128 \r
 210   *         bytes) and the 31 remaining words to load are in the same half page.\r
 211   * @note   During the Program memory half page write all read operations are \r
 212   *         forbidden (this includes DMA read operations and debugger read \r
 213   *         operations such as breakpoints, periodic updates, etc.).\r
 214   * @note   If a PGAERR is set during a Program memory half page write, the \r
 215   *         complete write operation is aborted. Software should then reset the \r
 216   *         FPRG and PROG/DATA bits and restart the write operation from the \r
 217   *         beginning.\r
 218   * @retval FLASH Status: The returned value can be:  \r
 219   *   FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT. \r
 220   */\r
 221 __RAM_FUNC FLASH_ProgramHalfPage(uint32_t Address, uint32_t* pBuffer)\r
 222 {\r
 223   uint32_t count = 0; \r
 224    \r
 225   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;\r
 226 \r
 227   /* Set the DISMCYCINT[0] bit in the Auxillary Control Register (0xE000E008) \r
 228      This bit prevents the interruption of multicycle instructions and therefore \r
 229      will increase the interrupt latency. of Cortex-M3. */\r
 230   SCnSCB->ACTLR |= SCnSCB_ACTLR_DISMCYCINT_Msk;\r
 231   \r
 232   /* Wait for last operation to be completed */\r
 233   status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 234   \r
 235   if(status == FLASH_COMPLETE)\r
 236   {\r
 237     /* if the previous operation is completed, proceed to program the new  \r
 238     half page */\r
 239     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_FPRG;\r
 240     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_PROG;\r
 241     \r
 242     /* Write one half page directly with 32 different words */\r
 243     while(count < 32)\r
 244     {\r
 245       *(__IO uint32_t*) (Address + (4 * count)) = *(pBuffer++);\r
 246       count ++;  \r
 247     }\r
 248     /* Wait for last operation to be completed */\r
 249     status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 250  \r
 251     /* if the write operation is completed, disable the PROG and FPRG bits */\r
 252     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_PROG);\r
 253     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_FPRG);\r
 254   }\r
 255 \r
 256   SCnSCB->ACTLR &= ~SCnSCB_ACTLR_DISMCYCINT_Msk;\r
 257     \r
 258   /* Return the Write Status */\r
 259   return status;\r
 260 }\r
 261 \r
 262 /**\r
 263   * @brief  Programs 2 half page in program memory in parallel.\r
 264   * @param  Address1: specifies the first address to be written in the first bank \r
 265   *        (BANK1). This parameter should be between 0x08000000 and 0x0802FF80.\r
 266   * @param  pBuffer1: pointer to the buffer  containing the data to be  written \r
 267   *         to the first half page in the first bank.\r
 268   * @param  Address2: specifies the second address to be written in the second bank\r
 269   *        (BANK2). This parameter should be between 0x08030000 and 0x0805FF80.\r
 270   * @param  pBuffer2: pointer to the buffer containing the data to be  written \r
 271   *         to the second half page in the second bank.\r
 272   * @note   This function can be used only for STM32L1XX_HD density devices.\r
 273   * @note   To correctly run this function, the FLASH_Unlock() function\r
 274   *         must be called before.\r
 275   *         Call the FLASH_Lock() to disable the flash memory access  \r
 276   *         (recommended to protect the FLASH memory against possible unwanted operation).\r
 277   * @note   Half page write is possible only from SRAM.\r
 278   * @note   If there are more than 32 words to write, after 32 words another \r
 279   *         Half Page programming operation starts and has to be finished.\r
 280   * @note   A half page is written to the program memory only if the first \r
 281   *         address to load is the start address of a half page (multiple of 128 \r
 282   *         bytes) and the 31 remaining words to load are in the same half page.\r
 283   * @note   During the Program memory half page write all read operations are \r
 284   *         forbidden (this includes DMA read operations and debugger read \r
 285   *         operations such as breakpoints, periodic updates, etc.).\r
 286   * @note   If a PGAERR is set during a Program memory half page write, the \r
 287   *         complete write operation is aborted. Software should then reset the \r
 288   *         FPRG and PROG/DATA bits and restart the write operation from the \r
 289   *         beginning.\r
 290   * @retval FLASH Status: The returned value can be:  \r
 291   *         FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.\r
 292   */\r
 293 __RAM_FUNC FLASH_ProgramParallelHalfPage(uint32_t Address1, uint32_t* pBuffer1, uint32_t Address2, uint32_t* pBuffer2)\r
 294 {\r
 295   uint32_t count = 0; \r
 296    \r
 297   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;\r
 298 \r
 299   /* Set the DISMCYCINT[0] bit in the Auxillary Control Register (0xE000E008) \r
 300      This bit prevents the interruption of multicycle instructions and therefore \r
 301      will increase the interrupt latency. of Cortex-M3. */\r
 302   SCnSCB->ACTLR |= SCnSCB_ACTLR_DISMCYCINT_Msk;\r
 303 \r
 304   /* Wait for last operation to be completed */\r
 305   status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 306   \r
 307   if(status == FLASH_COMPLETE)\r
 308   {\r
 309     /* If the previous operation is completed, proceed to program the new  \r
 310        half page */\r
 311     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_PARALLBANK;\r
 312     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_FPRG;\r
 313     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_PROG;\r
 314     \r
 315     /* Write the first half page directly with 32 different words */\r
 316     while(count < 32)\r
 317     {\r
 318       *(__IO uint32_t*) (Address1 + (4 * count)) = *(pBuffer1++);\r
 319       count ++;  \r
 320     }\r
 321     count = 0;\r
 322     /* Write the second half page directly with 32 different words */\r
 323     while(count < 32)\r
 324     {\r
 325       *(__IO uint32_t*) (Address2 + (4 * count)) = *(pBuffer2++);\r
 326       count ++;  \r
 327     }\r
 328     /* Wait for last operation to be completed */\r
 329     status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 330  \r
 331     /* if the write operation is completed, disable the PROG, FPRG and PARALLBANK bits */\r
 332     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_PROG);\r
 333     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_FPRG);\r
 334     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_PARALLBANK);\r
 335   }\r
 336 \r
 337   SCnSCB->ACTLR &= ~SCnSCB_ACTLR_DISMCYCINT_Msk;\r
 338     \r
 339   /* Return the Write Status */\r
 340   return status;\r
 341 }\r
 342 \r
 343 /**\r
 344   * @}\r
 345   */\r
 346 \r
 347 /** @addtogroup FLASH_Group3\r
 348  *\r
 349 @verbatim  \r
 350 @endverbatim\r
 351   * @{\r
 352   */\r
 353 \r
 354 /**\r
 355   * @brief  Erase a double word in data memory.\r
 356   * @param  Address: specifies the address to be erased.\r
 357   * @note   To correctly run this function, the DATA_EEPROM_Unlock() function\r
 358   *         must be called before.\r
 359   *         Call the DATA_EEPROM_Lock() to he data EEPROM access\r
 360   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect \r
 361   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).\r
 362   * @note   Data memory double word erase is possible only from SRAM.\r
 363   * @note   A double word is erased to the data memory only if the first address \r
 364   *         to load is the start address of a double word (multiple of 8 bytes).\r
 365   * @note   During the Data memory double word erase, all read operations are \r
 366   *         forbidden (this includes DMA read operations and debugger read \r
 367   *         operations such as breakpoints, periodic updates, etc.).\r
 368   * @retval FLASH Status: The returned value can be: \r
 369   *   FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.\r
 370   */\r
 371 \r
 372 __RAM_FUNC DATA_EEPROM_EraseDoubleWord(uint32_t Address)\r
 373 {\r
 374   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;\r
 375   \r
 376   /* Set the DISMCYCINT[0] bit in the Auxillary Control Register (0xE000E008) \r
 377      This bit prevents the interruption of multicycle instructions and therefore \r
 378      will increase the interrupt latency. of Cortex-M3. */\r
 379   SCnSCB->ACTLR |= SCnSCB_ACTLR_DISMCYCINT_Msk;\r
 380     \r
 381   /* Wait for last operation to be completed */\r
 382   status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 383   \r
 384   if(status == FLASH_COMPLETE)\r
 385   {\r
 386     /* If the previous operation is completed, proceed to erase the next double word */\r
 387     /* Set the ERASE bit */\r
 388     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_ERASE;\r
 389 \r
 390     /* Set DATA bit */\r
 391     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_DATA;\r
 392    \r
 393     /* Write 00000000h to the 2 words to erase */\r
 394     *(__IO uint32_t *)Address = 0x00000000;\r
 395     Address += 4;\r
 396     *(__IO uint32_t *)Address = 0x00000000;\r
 397    \r
 398     /* Wait for last operation to be completed */\r
 399     status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 400     \r
 401     /* If the erase operation is completed, disable the ERASE and DATA bits */\r
 402     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_ERASE);\r
 403     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_DATA);\r
 404   }  \r
 405   \r
 406   SCnSCB->ACTLR &= ~SCnSCB_ACTLR_DISMCYCINT_Msk;\r
 407     \r
 408   /* Return the erase status */\r
 409   return status;\r
 410 }\r
 411 \r
 412 /**\r
 413   * @brief  Write a double word in data memory without erase.\r
 414   * @param  Address: specifies the address to be written.\r
 415   * @param  Data: specifies the data to be written.\r
 416   * @note   To correctly run this function, the DATA_EEPROM_Unlock() function\r
 417   *         must be called before.\r
 418   *         Call the DATA_EEPROM_Lock() to he data EEPROM access\r
 419   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect \r
 420   *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).\r
 421   * @note   Data memory double word write is possible only from SRAM.\r
 422   * @note   A data memory double word is written to the data memory only if the \r
 423   *         first address to load is the start address of a double word (multiple \r
 424   *         of double word).\r
 425   * @note   During the Data memory double word write, all read operations are \r
 426   *         forbidden (this includes DMA read operations and debugger read \r
 427   *         operations such as breakpoints, periodic updates, etc.).\r
 428   * @retval FLASH Status: The returned value can be: \r
 429   *   FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT. \r
 430   */ \r
 431 __RAM_FUNC DATA_EEPROM_ProgramDoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)\r
 432 {\r
 433   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;\r
 434 \r
 435   /* Set the DISMCYCINT[0] bit in the Auxillary Control Register (0xE000E008) \r
 436      This bit prevents the interruption of multicycle instructions and therefore \r
 437      will increase the interrupt latency. of Cortex-M3. */\r
 438   SCnSCB->ACTLR |= SCnSCB_ACTLR_DISMCYCINT_Msk;\r
 439     \r
 440   /* Wait for last operation to be completed */\r
 441   status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 442   \r
 443   if(status == FLASH_COMPLETE)\r
 444   {\r
 445     /* If the previous operation is completed, proceed to program the new data*/\r
 446     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_FPRG;\r
 447     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_DATA;\r
 448     \r
 449     /* Write the 2 words */  \r
 450      *(__IO uint32_t *)Address = (uint32_t) Data;\r
 451      Address += 4;\r
 452      *(__IO uint32_t *)Address = (uint32_t) (Data >> 32);\r
 453     \r
 454     /* Wait for last operation to be completed */\r
 455     status = WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);\r
 456     \r
 457     /* If the write operation is completed, disable the FPRG and DATA bits */\r
 458     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_FPRG);\r
 459     FLASH->PECR &= (uint32_t)(~FLASH_PECR_DATA);     \r
 460   }\r
 461   \r
 462   SCnSCB->ACTLR &= ~SCnSCB_ACTLR_DISMCYCINT_Msk;\r
 463     \r
 464   /* Return the Write Status */\r
 465   return status;\r
 466 }\r
 467 \r
 468 /**\r
 469   * @}\r
 470   */\r
 471 \r
 472 /**\r
 473   * @brief  Returns the FLASH Status.\r
 474   * @param  None\r
 475   * @retval FLASH Status: The returned value can be: FLASH_BUSY, \r
 476   *   FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP or FLASH_COMPLETE\r
 477   */\r
 478 static __RAM_FUNC GetStatus(void)\r
 479 {\r
 480   FLASH_Status FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;\r
 481   \r
 482   if((FLASH->SR & FLASH_FLAG_BSY) == FLASH_FLAG_BSY) \r
 483   {\r
 484     FLASHstatus = FLASH_BUSY;\r
 485   }\r
 486   else \r
 487   {  \r
 488     if((FLASH->SR & (uint32_t)FLASH_FLAG_WRPERR)!= (uint32_t)0x00)\r
 489     { \r
 490       FLASHstatus = FLASH_ERROR_WRP;\r
 491     }\r
 492     else \r
 493     {\r
 494       if((FLASH->SR & (uint32_t)0x1E00) != (uint32_t)0x00)\r
 495       {\r
 496         FLASHstatus = FLASH_ERROR_PROGRAM; \r
 497       }\r
 498       else\r
 499       {\r
 500         FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;\r
 501       }\r
 502     }\r
 503   }\r
 504   /* Return the FLASH Status */\r
 505   return FLASHstatus;\r
 506 }\r
 507 \r
 508 /**\r
 509   * @brief  Waits for a FLASH operation to complete or a TIMEOUT to occur.\r
 510   * @param  Timeout: FLASH programming Timeout\r
 511   * @retval FLASH Status: The returned value can be: FLASH_BUSY, \r
 512   *   FLASH_ERROR_PROGRAM, FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or \r
 513   *   FLASH_TIMEOUT.\r
 514   */\r
 515 static __RAM_FUNC  WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)\r
 516 { \r
 517   __IO FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;\r
 518    \r
 519   /* Check for the FLASH Status */\r
 520   status = GetStatus();\r
 521   \r
 522   /* Wait for a FLASH operation to complete or a TIMEOUT to occur */\r
 523   while((status == FLASH_BUSY) && (Timeout != 0x00))\r
 524   {\r
 525     status = GetStatus();\r
 526     Timeout--;\r
 527   }\r
 528   \r
 529   if(Timeout == 0x00 )\r
 530   {\r
 531     status = FLASH_TIMEOUT;\r
 532   }\r
 533   /* Return the operation status */\r
 534   return status;\r
 535 }\r
 536 \r
 537 #if defined (  __TASKING__  )\r
 538 #pragma section_code_init restore\r
 539 #endif\r
 540 \r
 541 /**\r
 542   * @}\r
 543   */\r
 544    \r
 545   /**\r
 546   * @}\r
 547   */ \r
 548 \r
 549 /**\r
 550   * @}\r
 551   */ \r
 552 \r
 553 /************************ (C) COPYRIGHT STMicroelectronics *****END OF FILE****/\r